| 发明名称 |
PROCESS FOR MANUFACTURING A BURIED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0087251(A3) |
申请公布日期 |
1986.04.16 |
| 申请号 |
EP19830300709 |
申请日期 |
1983.02.11 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
NII, RIRO;TOYODA, NOBUYUKI;HOJO, AKIMICHI |
| 分类号 |
H01L21/285;H01L21/335;H01L21/338;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/778;H01L29/80;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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