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发明名称 PLANAR TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A HIGH BREAKDOWN VOLTAGE
摘要
申请公布号 EP0061551(B1) 申请公布日期 1986.04.16
申请号 EP19810305831 申请日期 1981.12.10
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 NAKAGAWA, AKIO C/O PROF. DAVID H. NAVON;UTAGAWA, TADASHI;TSUKAKOSHI, TSUNEO
分类号 H01L21/331;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/41;H01L29/73;H01L29/78;H01L29/86;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/06 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
主权项
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