SUSCEPTEUR A UTILISER POUR LE DEPOT D'UNE COUCHE SUR UNE PLAQUETTE DE SILICIUM PAR UN PROCEDE DE DEPOT EN PHASE VAPEUR

摘要

SUSCEPTEUR 3 A UTILISER POUR LE DEPOT EN LIGNE OU EN CONTINU D'UNE COUCHE SUR UNE PLAQUETTE DE SILICIUM 2 PAR UN PROCEDE CVD, CELUI-CI ETANT CONSTITUE D'UNE CERAMIQUE SI-SIC CONTENANT 7 A 25 EN POIDS DE SILICIUM METALLIQUE DE PURETE ELEVEE, PRESENTANT UNE RESISTANCE MECANIQUE ET UNE STABILITE DIMENSIONNELLEACCRUES ET POUVANT NORMALEMENT FONCTIONNER DE FACON REPETEE. EN OUTRE, L'UTILISATION DU SUSCEPTEUR PERMET D'OBTENIR UNE COUCHE UNIFORME PAR DEPOT SUR LA PLAQUETTE DE SILICIUM PAR LE PROCEDE CVD, ET LA PLAQUETTE DE SILICIUM REVETUE DE LA COUCHE PAR LE PROCEDE CVD PEUT ETRE PRODUITE SANS QU'ELLE SOIT CONTAMINEE AFIN QU'ELLE PRESENTE LES PROPRIETES ELECTRIQUES SOUHAITEES.