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<P>PROCEDE DE FABRICATION D'ILOTS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN ISOLES ELECTRIQUEMENT LES UNS DES AUTRES.</P><P>CE PROCEDE CONSISTE A REALISER DES MOTIFS 17 EN UN MATERIAU ISOLANT SUR UN SUBSTRAT 12 EN SILICIUM MONOCRISTALLIN, A DEPOSER SUR L'ENSEMBLE DE LA STRUCTURE UN FILM 26 DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, A RECOUVRIR LE FILM 26 DE SILICIUM D'UNE COUCHE 28 D'UN MATERIAU ENCAPSULANT, A REALISER UN TRAITEMENT THERMIQUE DE LA STRUCTURE OBTENUE SERVANT A ENFONCER VERTICALEMENT DANS LE SUBSTRAT 12 LES MOTIFS 17 DE MATERIAU ISOLANT ET A FORMER AU-DESSUS DE CES MOTIFS 17 ENFONCES UNE COUCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN 33, A ELIMINER LA COUCHE 28 DE MATERIAU ENCAPSULANT, ET A GRAVER LA COUCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN OBTENUE 33 DE FACON A FORMER LESDITS ILOTS 34.</P>
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