发明名称 含有导电粘胶供切割半导体晶片之薄膜载体与电路小板制法
摘要
申请公布号 TW075387 申请公布日期 1986.03.01
申请号 TW073103428 申请日期 1984.08.17
申请人 施多福化学公司 发明人
分类号 H05K3/00 主分类号 H05K3/00
代理机构 代理人 田德俭 台北巿八德路三段八十一号七楼之七
主权项 1.一种切割薄膜,该薄膜在切割成个别个电路小板时用以支承半导体晶片,该薄膜包含:(a)一个支承薄膜。(b)在该支承薄膜某一面上有一层剥离层;以及(c)有一种导电粘胶的图案粘附在该支承薄膜上的剥离层,该粘胶图案尺寸及形状至少能够在其上面支承一个半导体晶片,俾该剥离层在将电路小板与附看的导电粘胶由该支承薄膜上拿起时可使该附看粘胶的物理完整性不致有任何实质上的破坏2.如专利请求1.项的薄膜,其中的支承薄膜是由一种聚烯属烃聚合物所形成者。3.如专利请求1.项的薄膜,其中的支承膜是聚丙烯。4.如专利请求1.项的薄膜,其中的支承薄膜厚度大约有l毫寸到6毫寸左右5.如专利请求1.项的薄膜,其中的剥离层是一种矽酮组合物。6.如专利请求1.项的茫膜,其中的剥离层是一种氟代烃组合物。7.如专利请求1.项的薄膜,其中的导电粘胶厚度大约为0.2毫寸到l.5毫寸左右。8.如专利请求1.项的薄膜,其中的导电粘胶含有有效的数量,为使一种粘胶基质中的导电金属能够具有导电性。9.如专利请求2.项的薄膜,其中的支承薄膜厚度大约为l毫寸到6毫寸左右。10.如专利请求9.项的薄膜,其中的剥离层是为一种矽酮组合物。11.如专利请求10.项的薄膜,其中的导电粘胶厚度大约为0.2毫寸到l.5毫寸,又其中粘胶含有有效的数量,为使一种粘胶基质内的导电金属具有导电性。12.如专利请求1.项的薄膜,其中又有一层在导电粘胶图案上面的剥离用衬里。13.如专利请求11.@项的薄膜,其中在导电粘胶图案上面又有一层剥离用衬里。14.一种由半导体晶片制作个别电路小板的方法,该法包括:(a)使该晶片粘附于由专利请求1.项中所述切割薄膜所携带的粘胶图案上;(b)将该晶片切割而形成此导电路小板。15.如专利请求14.项的方法,其中晶片藉着一种真空板装置放在粘胶之上。16.如专利请求15.项的方法,其中的真空板装置藉着切割薄膜上的一种对准记号而被导引。17.如专利请求14.项的方法,其中该方法又包括将电路小板放在一个电路小板持携物之中而由薄膜上面取下。
地址 美国