| 主权项 |
1.绝缘体上之半导体元件,包括:含有半导体物质的基体,电解缘物质的起始区和非作用区;以及实质为单晶半导体物质的作用区,其乃位于所述绝缘物质区域之下,其特征在于所述元件更包括一电导通道,从所述作用区延伸而至所述基体的非作用区域。2.依请求专利部份第1.项所请之元件,其特征在所述作用区内包括两相当掺杂且空间性分隔的区域,且所述电导通道从所述区域间伸出。3.依请求专利部份第1.或2.项所请之元件,其特征在于所述通道包括穿经所述绝缘区域最厚部份的孔穴,而此孔穴最少部份地填装半导体物质。4.依请求专利部份第1.或2.项所请之元件,其特征在于所述通道包括半导体物质,从所述作用区,经过所述绝缘区域延伸至和所述基体的接点。5.依请求专利部份第1.项所请之元件,其特征为场效应电晶体形成在所述起始作用区之上。6.依请求专利部份第5.项所请之元件,其特征在于所述之场效应电晶体是为金属氧化物半导体场效应电晶体。7.依请求专利部份第5.或6.项所请之元件,其特征在于所述之场效应电晶体是为金属半导体场效应电晶体。8.依请求专利部份第1.项所请之元件,其特征在于电绝缘物质之第二区域与所述绝缘体质第一区域相间隔;单晶半导体物质之第二区域与所述绝缘物质的第二区域相接,第二容积内之导电性型态相反于第一容积。9.制备一元件的方法,包括步骤为:在基体表面形成场介电体,其包括半导体物质,此场介电体乃形成于所述表面的区域外围且环绕其界限,而所述界限乃由第一型样描绘元件石版印刷地予以定义,且在所述区域构造一元件,其特征乃在于所述区域包括位于电绝缘物质的岛状物下方之量晶半导体物质,其界限乃由第二型样描绘元件石版印刷地予以定义,而以其所产生之型样而言,实质上乃和所述第一型样描绘元件相同,且在所述形成步骤之前,其单晶半导体物质乃由在所述基体的末处理表面形成非单晶半导体物质而构筑得到,其包括岛状物及单晶半导体物质的种晶区,此种晶区乃环绕看所述岛状物,且升高在所述种晶区和岛状物上之非单晶半导体物质的温度至高于室温。10.依请求专利部份第9.项所请之方法,其特征在于所述升高温度步骤包括实质为同时熔解所有位于所述岛状物和种晶区上的非单晶半导体物质之步骤。11.依请求专利部份第10.项所谓之方法,其特征在于再固化所述已熔解物质。12.依请求专利部份第l0.项所请之方法,其特征在于所述岛状物之最大横向范围小于lOOum。13.依请求专利部份第9.项所请之方法,其特征在于所述非单晶半导体物质为非晶形半导体物质且所述非单晶半导体物质的温度乃升高至低于所述非晶形物质的熔点。14.依请求专利部份第13.项所谓之方法,其特征为所述岛状物之最大横向范围小于约1Oum。15.依请求专利部份第9.项所请之方法,其特征为位于所述岛状物下方之所述实质单晶半导体物质的最大厚度乃介于2Onm至lum间。 |
