| 主权项 |
1.一种为在一个选定的基底表面上淀积一种做均匀化学键合的氧氮化矽物料之光化蒸汽淀积方法,此种物料含有最少量的自由无定形矽,让法包括下列步骤:(a)何在一个光化蒸汽淀积腔室内预备上述基底;(b)制做一种蒸汽相混合物,其中包括:在有一种选定波长的辐射线时彼此能够施行一种光化反应作用以形成一种四氮化三矽物料的选定含氮化合物以及选定含矽化合物,此等化合物成一种预定的比率,并且有预定的流速;有一种在该光化反应作用中做敏化剂的本银蒸汽;以及有一种预定数量的含氧化合物;(c)将该基底曝放在上述蒸汽相混合物中,同时将一种足以在上述含氮化合物,上述含矽化合物,以及上述含氧化合物之间引发上述光化反应作用以形成上述做均匀化学键合的氧氮化矽物料并且淀积于上述基底的表面上的上述选定波长之辐射线引入该腔室之中,其中该含氧化合物能够与任何多余的上述含矽化合物起反应而使由该多余的含矽化合物而来的矽能够化学键合于以及均匀地加于上述氧氮化矽物料之中,且因而阻止由上述含矽化合物形成上述自由无定形的矽,并且阻止此种自由无定形的矽不均匀地加入上述氧氮化矽物料之中。2.如专利请求1.项的方法,其中上述含氧化合物是氧,而上述预定数量是在上述腔室中当压力抽空到大约0.1至50妥尔(毫米水银柱高)时在上述腔室中所含氧的数量。3.如专利请求1.项的方法,其中上述含氧化合物在曝放于上述辐射线之中时会被离解以形成氧原子。4.如专利请求3.项的方法,其中上述含氧化合物是氧化氮。5.如专利请求1.项的方法,其中上述基底的温度在大约30℃舆200℃之间。6.如专利请求1.项的方法,其中:(a)上述选定的含氮化合物是氨;(b)上述选定的含矽化合物是矽烷;(c)该氨与矽烷的预定比率超过80:1;(d)该矽烷的流速大约为每分钟1.2标准立方公分;以及(e)上述含氧化合物是为氧,而上述其预定数量是在上述腔室被抽空到大约5毫妥尔(5微米水银柱高)左右之时所含氧的数量。 |
