| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS GETTERED WITH PHOSPHORUS |
| 摘要 |
Afin d'atteindre une concentration dense de transistors MOS sur la surface supérieure d'un corps semi-conducteur en silicium, des éléments conducteurs (41) comprenant des contacts en polysilicium dopés à l'arsénic ou à l'antimoine (40) sont utilisés en combinaison avec une étape de getterisation au phosphore exécutée lorsque la surface supérieure est rendue étanche contre l'introduction de phosphore par une couche perdue de verre non dopée (21). |
| 申请公布号 |
WO8601638(A1) |
申请公布日期 |
1986.03.13 |
| 申请号 |
WO1985US01512 |
申请日期 |
1985.08.06 |
| 申请人 |
AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY |
发明人 |
DALTON, JOHN, VINCENT;ORLOWSKY, KENNETH, JEFFREY;SINHA, ASHOK, KUMAR |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L21/322;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/8234;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/322;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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