A BIPOLAR TRANSISTOR WITH ACTIVE ELEMENTS FORMED IN SLOTS.

摘要

Un transistor bipolaire susceptible d'une intégration à grande échelle possède des régions actives formées dans des fentes dans un substrat semi-conducteur (44). Dans un mode de réalisation, l'émetteur (46'') est formé dans une fente et possède une région environnante (50) dopée pour fonctionner comme une base. Un collecteur (45'') est formé dans une autre fente située à proximité mais écartée de la fente de l'émetteur. Le transport du porteur a lieu principalement horizontalement entre l'émetteur (46'') et la base (50) et d'ici au collecteur (45''). Des fentes supplémentaires (40') peuvent être utilisées pour isoler le transistor de fente en combinaison avec une jonction pn disposée horizontalement (36) et un collecteur noyé (54). Le collecteur peut être formé dans une fente contenant une paroi latérale externe oxydée qui sert à isoler le transistor individuel.