发明名称 半导体基片
摘要 本实用新型开创了具有如下特征的半导体基片,它是在具有<100>面的单晶硅基片上偏离[011]面的角度小于90°的位置上形成定向面。
申请公布号 CN85201474U 申请公布日期 1986.02.26
申请号 CN85201474 申请日期 1985.05.20
申请人 夏普公司 发明人 浅井正人
分类号 H01L12/302;H01L29/04 主分类号 H01L12/302
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人 肖春京;张卫民
主权项 1.半导体基片其特征为在具有(100)面的单晶硅基片上偏离 (011)面的角度小于90°的位置上形成定向面。
地址 日本大阪市阿倍野区长池町22-22