| 发明名称 |
IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES OF HIGH BREAKDOWN VOLTAGE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2163597(A) |
申请公布日期 |
1986.02.26 |
| 申请号 |
GB19850018801 |
申请日期 |
1985.07.25 |
| 申请人 |
* SGS-ATES COMPONENTI ELETTRONICI SPA |
发明人 |
GIUSEPPE * FERLA;SALVATORE * MUSUMECI |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/36;H01L29/73;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/06 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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