发明名称 Optoelectronic semiconductor device and method for its production.
摘要 Es wird eine optoelektronische Halbleiteranordnung vorgeschlagen, die als Gehäusebauform kein sonst übliches Metall-, Keramik- oder Kunststoffgehäuse besitzt, sondern ein solches in Mikropack-Bauweise. Der optisch wirksame Oberflächenbereich (2) des Halbleiterchips (1) bleibt, mit Ausnahme einer optisch durchlässigen Passivierung (6) frei von sonstigen Materialien. Die restliche Chipoberfläche, mit Ausnahme mindestens der Bereiche um die Anschlußkontakte (7) ist mit einer festen Schutzschicht (3) aus Metall, Metallegierung oder Kunststoff, vorzugsweise, Polyimid, bedeckt. Der Rand (R) der Schutzschicht (3) muß zu dem gedachten Mittelpunkt eines jeden Anschlußkontaktes (7) einen Minimalabstand (A) von 100 µm besitzen. Die Schutzschicht (3) ist 20 bis 150 µm, vorzugsweise 50 bis 80 µm dick. Die Schutzschicht (3) wird mittels Kleben, Drucken oder Spin-Coating und üblichen Strukturierungsverfahren aufgebracht. Zwischen der Chipkante (5) und dem äußeren Rand (R) der Schutzschicht (3) befindet sich zum Schutze der Anschlußkontakte (7) und der Anschlußleitungen (8) ein elektrisch isolierender Überzug (4), vorzugsweise aus Schutzlack. Der Schutzlack, Epoxidharz, Siliconlack, wird mittels einer Belackungsnadel aufgebracht. Der Überzug (4) kann aber auch in pulverisierter Form aufgebracht werden und thermisch verschmolzen werden. Die Anschlußleitungen (8) werden mittels Lötbonden oder Thermokompression vor Aufbringen des Überzuges (4) befestigt.
申请公布号 EP0170724(A1) 申请公布日期 1986.02.12
申请号 EP19840114706 申请日期 1984.12.04
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 ROHDE, VOLKER, DIPL.-ING.
分类号 H01L23/29;H01L23/31;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/48;(IPC1-7):H01L31/02;H01L33/00 主分类号 H01L23/29
代理机构 代理人
主权项
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