| 摘要 |
<P>LE PROCEDE CONSISTE A METTRE EN CONTACT LA SURFACE HORIZONTALE INFERIEURE DE DEUX PLAQUETTES DE QUARTZ 15, 16 AVEC LA SURFACE HORIZONTALE D'EQUILIBRE 24 D'UN BAIN 2 DE SILICIUM FONDU, PUIS A SOULEVER CES PLAQUETTES 15, 16 A UN NIVEAU PREDETERMINE H AU-DESSUS DE CETTE SURFACE 24 ET A LES DISPOSER RESPECTIVEMENT A UNE DISTANCE PREDETERMINEE D DES BORDS LATERAUX 11, 12 DU RUBAN 4 TRAVERSANT VERTICALEMENT LE BAIN 2.</P><P>APPLICATION A LA REALISATION DE PHOTOPILES SOLAIRES.</P>
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