发明名称 辉光放电成膜装置及成膜方法
摘要
申请公布号 TW076240 申请公布日期 1986.04.01
申请号 TW074102806 申请日期 1985.06.27
申请人 钟渊化学工业股份有限公司 发明人
分类号 H01L21/203 主分类号 H01L21/203
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼之三;恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种以辉光放电分解在一基底上沈积一种膜之装置,改良部份包括接地电极、基底、R F 电极、一R F 电源、一配合电路和至少有一电子元件之控制电路;每一该基底配置在该接地电极上,接地电极配置在彼此平行的每一R F 电极上;该互相平行的R F 电极彼此电绝缘;该配合电路连结R F电源接受一R F 电力;该控制电路被连结成可自配合电路接受R F 电力;控制电路的输出被连结成可向RF 电极供应R F 电力。2.依据请求专利部份第1.项的装置,其中该控制电路有固定电容器和可变电容器。3.系据请求专利部份第1.项的装置,其中控制电路有固定电感器和可变电感器。4.依据请求专利部份第1.项的装置,其中设置有1 -100 组,每一该组配置有一R F 电极和一接地电极。5.依据请求专利部份第1.项的装置,其中藉基底移动装置移动基底而与R F电极保持一距离。6.依据请求专利部份第1.项的装置,其中R F 电力的频率是l -l00 MHZ 。7.依据请求专利部份第1.项的装置,其中配置一加热器用来加热物体。8.依据请求专利部份第2.项的装置,其中电容器是与R F 电极串联。9.依据请求专利部份第2.项的装置,其中电容器平行地连结地面。l0.依据请求专利部份第3.项的装置,其中电感器和R F 电极串联。11.依据请求专利部份第3.项的装置,其中电感器平行地连结地面。12.依据请求专利部份第5.项的装置,其中基底左右移动但和R F 电极保持一距离。13.依据请求专利部份第5.项的装置,其中物体单一方面移动但和R F 电极保持一距离。14.一种以辉光放电分解在一包括接地电极、基底、R F 电极、一R F 电源、一配合电路和一控制电路的一种装置中于基底上沈积一膜内程序。改良处包括以经由控制电路独立控制供应R F 电力,而在基底上制成膜,俾使电浆在每一R F 电极上被控制。15.依据请求专利部份第14.项的装置,其中实施R F 一电力控制以使得在每一物体上制成均匀的膜。
地址 日本