发明名称 Self-aligning method of forming an interconnection line over a contact hole in an integrated circuit.
摘要 <p>Procédé d'autopositionnement d'une ligne d'interconnexion sur un trou de contact électrique d'un circuit intégré. Ce procédé consiste à déposer sur l'ensemble du circuit une première couche conductrice (20), à déposer sur cette couche un matériau de remplissage (22) servant à combler le trou de contact (17), la surface (23) de ce matériau étant sensiblement plane, à réaliser une gravure anisotrope de ce matériau de remplissage de façon à mettre à nu les parties (20a) de la première couche conductrice situées en dehors du trou de contact et à ne garder de ce matériau de remplissage que la partie (22a) remplissant le trou de contact, à déposer sur la structure obtenue une deuxième couche conductrice (26) dans laquelle sera réalisée la ligne d'interconnexion (26a), à réaliser sur la deuxième couche conductrice un masque de résine (28) servant à définir les dimensions de la ligne, à éliminer les parties de la deuxième et de la première couches conductrices dépourvues de masque et à éliminer le masque.</p>
申请公布号 EP0170544(A1) 申请公布日期 1986.02.05
申请号 EP19850401136 申请日期 1985.06.10
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT DE CARACTERE SCIENTIFIQUE TECHNIQUE ET INDUSTRIEL 发明人 HARTMANN, JOEL
分类号 H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/60;H01L23/52 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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