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发明名称 METODO DI DEPOSIZIONE EPITASSIALE DI SILICIO,STRUTTURA COMPOSITA COSI' OTTENUTA E TRANSISTORE AD EFFETTO DI CAMPO A PORTA ISOLATA CON ESSA REALIZZATO
摘要
申请公布号 IT1113842(B) 申请公布日期 1986.01.27
申请号 IT19770030980 申请日期 1977.12.20
申请人 RCA CORP 发明人
分类号 C30B19/12;C30B29/06;H01L21/20;H01L21/86;H01L29/786;(IPC1-7):H01C/ 主分类号 C30B19/12
代理机构 代理人
主权项
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