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<P>SYSTEME PERMETTANT DE FABRIQUER DES STRUCTURES EN COUCHES DE SEMI-CONDUCTEURS PAR CROISSANCE EPITAXIALE, QUI COMPREND LES COMPOSANTS SUIVANTS: AU MOINS UN CREUSET 41 SUPPORTANT LA TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEURS A ENDUIRE 40, UNE CHAMBRE DE REACTION 4 DANS LAQUELLE LE CREUSET EST INTRODUIT ET LA TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEURS EST TRAITEE AVEC UN AGENT PRECIPITANT LE MATERIAU CONSTITUANT LES COUCHES, UN DISPOSITIF DE CHAUFFAGE 5 QUI PORTE LA TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEURS A LA TEMPERATURE NECESSAIRE POUR EFFECTUER LA CROISSANCE EPITAXIALE.</P><P>IL COMPREND UNE STATION DE CHARGEMENT 1 EN AMONT DE LA CHAMBRE DE REACTION 4, OU PLUSIEURS CREUSETS 41 PEUVENT ETRE RECUS ET D'OU ILS SONT INTRODUITS DANS LA CHAMBRE DE REACTION 4, UNE STATION DE DECHARGEMENT 3 EN AVAL DE LA CHAMBRE DE REACTION 4, DANS LAQUELLE LES CREUSETS 41 SONT INTRODUITS A LEUR SORTIE DE LA CHAMBRE DE REACTION 4, ET UN MECANISME DE TRANSFERT 62, 63 QUI ACHEMINE LES CREUSETS 41 L'UN APRES L'AUTRE DE LA STATION DE CHARGEMENT 1 A LA STATION DE DECHARGEMENT 3 EN PASSANT PAR LA CHAMBRE DE REACTION 4.</P>
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