| 发明名称 |
DISPOSITIF A CIRCUITS INTEGRES A SEMICONDUCTEURS DU TYPE BI-CMOS-IC ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2531812(B1) |
申请公布日期 |
1986.01.24 |
| 申请号 |
FR19830013245 |
申请日期 |
1983.08.12 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
HIDEKI YASUOKA, YASUNOBU TANIZAKI, AKIRA MURAMATSU ET NORIO ANZAI;TANIZAKI YASUNOBU;MURAMATSU AKIRA;ANZAI NORIO |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/76;H01L21/8249;H01L27/00;H01L27/06;H01L27/092;(IPC1-7):H01L27/06;H01L21/82;H01L29/68 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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