SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH RESISTIVE FIELD SHIELD.

摘要

Une couche (26) de polysilicium de demi-isolation segmenté (SIPOS) est utilisée entre les électrodes (20, 22) créant un contact à la surface d'un dispositif de silicium afin de protéger la surface des effets de charge sur des couches diélectriques au-dessus de la surface de manière à maintenir des tensions de rupture. La segmentation de la couche de SIPOS augmente de manière significative sa résistance et limite ainsi les fuites créées par la couche sans réduction significative de sa capacité de protection.