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<p>L'invention concerne un élément à capacité variable, fonctionnant en hyperfréquence. En vue d'intégrer cet élément sur une pastille de circuit intégré, l'élément est conçu pour que la tension de commande (Vcomm) n'interfère pas avec le signal hyperfréquence (VHF), sans filtres ni selfs de choc qui ne sont pas intégrables. L'élément selon l'invention met en jeu la variation de capacité de jonction d'au moins une diode (12), polarisée en inverse par une tension (Vcomm) à travers une résistance (11), le signal HF étant à i'anode de la diode. La réalisation de l'élément comprend une zone active (14) dans un substrat semi-isolant. Deux métallisations (17, 18) recouvrent partiellement la zone active (14) et forment avec celle-ci au moins une diode (12). Un appendice (15) à la zone active (14) forme la résistance (11) sur laquelle est appliquée la tension de commande (Vcomm). Les diodes sont à jonction p-n ou Schottky. Le matériau semi-conducteur est Si ou de la famille III-V. Application aux oscillateurs, filtres, déphaseurs... dans les matériels hyperfréquences.</p> |
