PROCEDE DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX GAAS

摘要

PROCEDE DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX GAAS EN FAISANT CROITRE UN SUBSTRAT CRISTALLIN GAAS 4 EN LUI FOURNISSANT DES GAZ CONTENANT DU CHLORURE DE GA ET AS RESPECTIVEMENT A PARTIR D'UNE SOURCE 3, CARACTERISE PAR LE FAIT QUE LA SURFACE DU SUBSTRAT CRISTALLIN 4 AINSI QUE LE GAZ SE TROUVANT AU VOISINAGE DE CETTE SURFACE SONT IRRADIES A TRAVERS UNE FENETRE 1 PAR UNE LUMIERE AYANT DES LONGUEURS D'ONDES COMPRISES ENTRE 200 ET 300NM, FOURNI PAR UNE SOURCE 6 CE QUI PERMET LA CROISSANCE EPITAXIALE DES MONOCRISTAUX GAAS PAR TRANSPORT D'HALOGENE, EN MAINTENANT LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT CRISTALLIN A UNE TEMPERATURE INFERIEURE A 700C.LES MONOCRISTAUX PRODUITS PAR CE PROCEDE SE DISTINGUENT PAR UNE GRANDE PERFECTION.