NON-LINEAR LOAD ELEMENT FOR MEMORY CELL.

摘要

Elément bistable de circuit destiné à être intégré dans une cellule de mémoire statique composée de deux transistors avec des régions de base et de collecteur couplées entre elles et possédant un élément de charge non linéaire (111), tel qu'un dispositif non linéaire de charge de surface. En particulier, le dispositif non linéaire de charge de surface est une structure comprenant un segment de contact métallisé (124) en contact par jonction semi-conductrice avec un implant en silicium monocristallin légèrement dopé (119). La technique de fabrication se rapproche de celle d'une diode Schottky, avec modification de dopage de l'implant visant à accroître le facteur m de non-idéalité par rapport à la valeur idéale de m=1. Le facteur m de non-idéalité est limité de sorte que le dispositif non linéaire de charge de surface ne dégénère pas en une caractéristique de contact ohmique.