| 摘要 |
<p>Procédé de fabrication de capteurs à effet Hall en couches minces, du genre de ceux qui comprennent des éléments de semiconducteurs (9) recristallisés in situ après dépôt par une nouvelle fusion du matériau semiconducteur, caractérisé par la succession des étapes suivantes : on découpe les éléments actifs (9) du capteur sous forme de bandes étroites (14, 15), on recouvre l'ensemble d'une couche isolante de SiO2 (16), on recouvre la couche précédente d'une couche métallique conductrice (17), on grave cette couche métallique (17) de façon à réaliser des résistances chauffantes localisées au-dessus des bandes de semiconducteur, on fait passer un courant électrique dans les résistances chauffantes, on enlève la couche métallique des résistances chauffantes (17) puis la couche de SiO2 (16) sur les zones non recristallisées du semiconducteur.</p> |
