| 发明名称 |
ELECTRICALLY PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2113004(B) |
申请公布日期 |
1986.01.15 |
| 申请号 |
GB19820033041 |
申请日期 |
1982.11.19 |
| 申请人 |
* YISSUM RESEARCH DEVELOPMENT COMPANY OF THE HEBREW UNIVERSITY OF JERUSALEM |
发明人 |
BOAZ * EITAN |
| 分类号 |
H01L27/112;G11C16/04;G11C16/30;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792;H01L29/861;(IPC1-7):G11C11/34;H01L27/10 |
主分类号 |
H01L27/112 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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