| 发明名称 | 电沉积金-碳化硅复合镀层 | ||
| 摘要 | 一种用于继电器触点的抗电浸蚀的耐磨复合镀层，是用电镀方法沉积在铜合金或其他金属基体上。复合镀层中弥散有占镀层体积0.1～10％，粒径小于0.5微米的SiC微粒。这种金基复合镀层具有比纯金高的显微硬度，低的摩擦系数，接触电阻略大于金，但低于金合金，并且耐电浸蚀性、抗腐蚀及抗变色能力强。这种Au—SiC复合镀层可在含有SiC微粒的，氰化物的、酸性的及亚硫酸盐的镀金溶液中获得。 | ||
| 申请公布号 | CN85100021A | 申请公布日期 | 1986.01.10 |
| 申请号 | CN85100021 | 申请日期 | 1985.04.01 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 郭鹤桐;王兆勇;邱训高 |
| 分类号 | C25D15/00;C25D3/48;H01H1/02 | 主分类号 | C25D15/00 |
| 代理机构 | 天津大学专利代理事务所 | 代理人 | 张宏祥;曲远方 |
| 主权项 | 1、一种以金为基的复合镀层用于继电器的电触点，其特征在于在铜合金或其他金属基体上沉积一层Au-SiC复合镀层。复合镀层中弥散有占镀层体积0.1～10%的SiC微粒，粒径小于0.5微米。 | ||
| 地址 | 天津市南开区七里台 | ||