具有线性电流电压特性的半导体元件

摘要

公开了一种半导体器件,得到穿过坐标原点的线性电流电压特性及双向结构。通常器件含有P^－掺杂的衬底(10)顶上的氧化层(20)。在所述氧化层的顶上为形成纵向n漂移区的n型漂移区(30)。n漂移区包括在每端的轻掺杂的P型阱(32),P型阱(32)有重掺杂的P⁺半导体材料、接触源或漏电极(35)的部分(31)。每个P型阱(32)附加地含有n⁺区(33)和附加在所述p型阱顶上的栅电极(34)。由此n⁺掺杂区(33)分别定位在栅和漏电极或栅和源电极之间的P阱(32)内。由此形成具有共用漂移区的双向双DMOS结构。

主权项

1．一种半导体器件，得到穿过坐标原点的线性电流电压特性及双向结构，包括衬底顶上的绝缘层和所述绝缘层顶上的n型漂移区；所述n型漂移区，在每端形成构成p阱的低掺杂的p型区域，p阱又具有形成源或漏区的重掺杂的n+区；所述p阱还包括至少部分p+掺杂的半导体材料，在所述p型阱上还有栅电极，所述n+掺杂半导体材料的一个部分或多个部分被分别放置在栅和漏电极之间或栅和源电极之间的p阱内；由此形成具有共用漂移区的双向双DMOS结构。