发明名称 VERFAHREN ZUR IONENIMPLANTATION VON MOS-BAUELEMENTEN
摘要
申请公布号 DD231893(A1) 申请公布日期 1986.01.08
申请号 DD19840266462 申请日期 1984.08.21
申请人 TECHNISCHE HOCHSCHULE,KARL-MARX-STADT,,,DD 发明人 GESSNER,THOMAS,DD;VETTER,EGBERT,DD;TOLONICS,JOHANN,DD
分类号 H01J37/317;H01L21/265;(IPC1-7):H01L21/265 主分类号 H01J37/317
代理机构 代理人
主权项
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