| 摘要 |
<p>Un photodétecteur se compose d'un transistor à induction électrostatique dans lequel une couche noyée de type n+ est présente pour limiter l'épaisseur d'une couche à résistance élevée i entre la région de type p+ constituant une porte et le substrat, et la couche noyée de type n+ est utilisée comme région de drain ou comme région de source. Le photodétecteur correspond à un élément d'image recevant de la lumière d'une longueur d'onde particulière. Les éléments d'image sont arrangés en nid d'abeilles, de sorte que les éléments d'image individuels reçoivent sélectivement la lumière de trois longueurs d'ondes particulières, c'est-à-dire bleue (lambda1), verte (lambda2) et rouge (lambda3), afin de constituer un détecteur d'images en couleurs en sélectionnant les conditions suivantes: 1) distance xi entre la jonction d'entrée de la jonction par broches et la surface, (I); 2) surface A(lambdai) de la partie de porte, (II), où e = 2,718; eta(lambdai): rendement quantique requis pour la longueur d'onde lambdai; R(lambdai): coefficient de réflexion pour la longueur d'onde lambdai; xi(lambdai): coefficient d'absorption pour la longueur d'onde lambdai; Atot = A(lambdai) + A(lambda2) + A(lambda3).</p> |
