METHOD OF MAKING A BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR.

摘要

Un procédé de fabrication d'un transistor de jonction bipolaire consiste à utiliser un substrat (10) ayant à l'intérieur une région collectrice de type n (13). Une fine couche de silicium polycristallin ou amorphe (19) est formée par dépôt de vapeur chimique à basse pression LPCVD, tout en dopant in situ le silicium avec du bore au fur et à mesure qu'il est déposé. La couche déposée est recuite thermiquement pour recristalliser le silicium déposé, formant ainsi une région de base épitaxiale (11) ayant une jonction abrupte avec la région collectrice (13). Une portion du silicium déposé est ensuite implantée avec des ions de bore pour former une région de contact de base (37). Ensuite, une couche de silicium LPCVD dopée avec de l'arsenic ou du phosphore est formée pour obtenir une région émettrice (51) et une région de contact de collecteur (52), un nouveau recuit augmentant la concentration des donneurs actifs dans ces régions (51, 52) tout en effectuant simultanément un recuit de la région de contact de base (37). Un recuit contrôlé peut donner comme résultat la rétention d'une structure émettrice polycristalline.