C-MOS basic cell.

摘要

Zum Aufbau von elektronischen Schaltkreisen unter Verwendung der C-MOS-Technik werden Basiszellen verwendet, die jeweils aus zwei Transistoren (TR1, TR2) und senkrecht zueinander geordneten ersten Leiterbahnen (L1) und zweiten Leiterbahnen (L2) bestehen. Die ersten Leiterbahnen (L1), die im wesentlichen aus Polysilizium bestehen, verlaufen parallel zur Erstreckung der Transistoren (TR1, TR2). Die zweiten Leiterbahnen (L2), die im wensentlichen aus Metall bestehen, verlaufen entweder zwischen den beiden Transistoren (TR1, TR2) oder verlaufen über die Transistoren (TR1, TR2). Durch elektrische Verbindung über Kontakte (KT) zwischen den Leiterbahnen (L1, L2) und den Transistorelektroden und durch mehrfaches Nebeneinanderanordnen der Basiszellen können gewünschte elektronische Schaltkreise aufgebaut werden. Die Basiszelle hat eine einfache geometrische Struktur, die softwaremäßig beschreibbar ist. Einzelne Basiszellen können ohne große Änderungen nebeneinander angeordnet werden, um elektronische Schaltkreise zu realisieren.