发明名称 |
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT. |
摘要 |
Un circuit intégré à semi-conducteurs possède une première et une deuxième région semi-conductrices composées d'éléments en saillie en forme de piliers disposés sur un substrat semi-conducteur ou une couche semi-conductrice disposée sur un substrat isolant, les régions semi-conductrices étant opposées entre elles à travers une région isolante; un FET à canal p disposé dans la première région semi-conductrice; un FET à canal n disposé dans la deuxième région semi-conductrice, chaque FET possédant des régions de source et de drain dans les parties supérieures et de fond respectivement de la région semi-conductrice correspondante, et une électrode de porte dans une partie latérale de la région semi-conductrice. On décrit également un circuit intégré à semi-conducteurs dans lequel la région isolante entre les régions semi-conductrices en forme de pilier en saillie est utilisée comme électrode de porte et comme film d'isolation de porte. |
申请公布号 |
EP0166003(A1) |
申请公布日期 |
1986.01.02 |
申请号 |
EP19850900191 |
申请日期 |
1984.12.14 |
申请人 |
HITACHI, LTD. |
发明人 |
SUNAMI, HIDEO;OHKURA, MAKOTO;KIMURA, SHINICHIRO |
分类号 |
H01L27/08;H01L21/822;H01L21/8238;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/092;H01L27/11;H01L29/78;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L27/08 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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