发明名称 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT.
摘要 Un circuit intégré à semi-conducteurs possède une première et une deuxième région semi-conductrices composées d'éléments en saillie en forme de piliers disposés sur un substrat semi-conducteur ou une couche semi-conductrice disposée sur un substrat isolant, les régions semi-conductrices étant opposées entre elles à travers une région isolante; un FET à canal p disposé dans la première région semi-conductrice; un FET à canal n disposé dans la deuxième région semi-conductrice, chaque FET possédant des régions de source et de drain dans les parties supérieures et de fond respectivement de la région semi-conductrice correspondante, et une électrode de porte dans une partie latérale de la région semi-conductrice. On décrit également un circuit intégré à semi-conducteurs dans lequel la région isolante entre les régions semi-conductrices en forme de pilier en saillie est utilisée comme électrode de porte et comme film d'isolation de porte.
申请公布号 EP0166003(A1) 申请公布日期 1986.01.02
申请号 EP19850900191 申请日期 1984.12.14
申请人 HITACHI, LTD. 发明人 SUNAMI, HIDEO;OHKURA, MAKOTO;KIMURA, SHINICHIRO
分类号 H01L27/08;H01L21/822;H01L21/8238;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/092;H01L27/11;H01L29/78;H01L29/786 主分类号 H01L27/08
代理机构 代理人
主权项
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