| 主权项 |
1.一种相转移光阻坯料,其包括一半色调相转移薄 膜,其中该半色调相转移薄膜包括两层且该薄膜的 上层所具折射率小于其下层所具折射率。2.一种 相转移光阻坯料,其包括一半色调相转移薄膜,其 中该半色调相转移薄膜包括三层且该薄膜中层所 具折射率小于对其上层和下层所观测値。3.一种 相转移光阻坯料,其包括一半色调相转移薄膜,其 中该半色调相转移薄膜包括三层且该薄膜的上层 所具折射率小于其中层所具折射率。4.一种相转 移光阻坯料,其包括一半色调相转移薄膜,其中该 半色调相转移薄膜包括至少4层且该薄膜的最上层 所具折射率小于紧接在该最上层下方的层所具折 射率。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之相转 移光阻坯料,其中该半色调相转移薄膜为一MoSiON型 薄膜。6.一种相转移光阻,其包括如申请专利范围 第1至5项中任一项所述相转移光阻坯料,于其上形 成有要转移到一晶圆基材上的图样。7.一种制造 半导体装置之方法,其包括下述步骤:将一晶圆基 板透过如申请专利范围第6项所述相转移光阻曝露 到光线而形成具有精密图样的半导体装置。8.一 种制造半导体装置之方法,其包括下述步骤:将一 晶圆基板透过一相转移光阻曝露到一光线而制成 具有精密图样的半导体装置,其中该相转移光阻包 括选自下列所成组合中之相转移光阻坯料且于其 上形成有要转移到该晶圆基板的图样:一双层型半 色调相转移薄膜,其中该薄膜的上层所具折射率小 于其下层所具折射率;一三层型半色调相转移薄膜 ,其中其中层所具折射率小于其上层和下层所具折 射率或该薄膜的上层所具折射率小于其中层所具 折射率;或一多层型半色调相转移薄膜,其包括至 少四层,其中该薄膜的最上层所具折射率小于紧接 在该最上层下方的层所具折射率。图式简单说明: 第一图为显示出习用衰减型,包括单层相转移薄膜 的相转移光阻之断面图; 第二图为显示出包括双层型相转移薄膜的衰减型 相转移光阻之断面图; 第三图为显示出包括三层型相转移薄膜的衰减型 相转移光阻之断面图; 第四图为显示出构成双层型相转移薄膜的诸层所 具厚度(d1,d2)之间的关系之图解; 第五图为显示出构成三层型相转移薄膜的诸层所 具厚度(d1,d2,d3)之间的关系之图解;且 第六图为显示出在反应性溅镀步骤中所用反应性 气体流速比例(N2O/(Ar+N2O),体积%)与光学常数(折射 率n和消光系数k)之间的关系之图解。 |
