| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>CE PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS INCLUT LES PHASES OPERATOIRES CONSISTANT A PREPARER UN SUBSTRAT 10, A FORMER UNE PELLICULE SEMI-CONDUCTRICE 12 CONTINUE SUR UNE SURFACE PRINCIPALE DU SUBSTRAT ET A IRRADIER, AVEC UN FAISCEAU D'ENERGIE LB, L'AUTRE SURFACE PRINCIPALE DUDIT SUBSTRAT ET A ELIMINER LA PELLICULE SEMI-CONDUCTRICE 12 DANS CETTE PARTIE DE MANIERE A SUBDIVISER LADITE PELLICULE SEMI-CONDUCTRICE CONFORMEMENT A DIFFERENTES REGIONS 14A, 14B, 14C,...</P><P>APPLICATION NOTAMMENT A LA FABRICATION D'UN RESEAU LINEAIRE DE DETECTEURS OPTIQUES A SEMI-CONDUCTEURS.</P> |
