| 主权项 |
1.一种用以校正用于半导体积体电路制造之光罩 图案之方法,其包含之步骤为: 基于组成该光罩图案之图案单元之形状及/或该图 案单元与邻近图案单元的相对位置关系而分类该 图案单元;以及 对于在该分类步骤分类之该图案单元中所选择出 的图案单元实施图案校正。2.如申请专利范围第1 项之用以校正用于半导体积体电路制造之光罩图 案之方法,其中, 该分类步骤系一种用于分类该图案单元为接受校 正单元及不接受校正单元之步骤;且 该校正步骤系一种用于对在该分类步骤分类为接 受校正单元的该图案单元选择性地实施图案校正 之步骤。3.如申请专利范围第2项之用以校正用于 半导体积体电路制造之光罩图案之方法,其中,该 分类步骤系一种基于该图案单元之宽度而分类该 图案单元为该接受校正单元及该不接受校正单元 之步骤。4.如申请专利范围第3项之用以校正用于 半导体积体电路制造之光罩图案之方法,其中,该 分类步骤系一种用于将宽度小于预定値的该图案 单元分类为该接受校正单元的分类图案单元步骤 。5.如申请专利范围第2项之用以校正用于半导体 积体电路制造之光罩图案之方法,其中,该分类步 骤系系一种基于相互邻近图案单元之间的距离而 分类该图案单元为该接受校正单元及该不接受校 正单元之步骤。6.如申请专利范围第5项之用以校 正用于半导体积体电路制造之光罩图案之方法,其 中,该分类步骤系一种用于将邻近图案单元间距离 小于预定値的该图案单元分类为该接受校正单元 的分类图案单元步骤。7.如申请专利范围第2项之 用以校正用于半导体积体电路制造之光罩图案之 方法,其中, 该分类步骤系一种用于将已分类为该接受校正单 元之图案单元更进一步分类为各自适合复数个图 案校正形式的群组;且 该校正步骤系一种对以该分类步骤分类为各自适 合该复数个图案校正形式之该群组的该接受校正 单元实施最佳图案校正的步骤。8.如申请专利范 围第7项之用以校正用于半导体积体电路制造之光 罩图案之方法,其中,该分类步骤系一种基于该接 受校正单元之宽度而将该接受校正单元分类为该 群组的步骤。9.如申请专利范围第7项之用以校正 用于半导体积体电路制造之光罩图案之方法,其中 ,该分类步骤系一种基于该接受校正单元及邻近图 案单元之间的距离而将该接受校正单元分类为该 群组的步骤。10.如申请专利范围第7项之用以校正 用于半导体积体电路制造之光罩图案之方法,其中 ,图案校正系光邻近效应校正。11.如申请专利范围 第7项之用以校正用于半导体积体电路制造之光罩 图案之方法,其中,该复数个的图案校正方法系一 种运用模拟的光邻近效应校正方法以及一种运用 规则的光邻近效应校正方法。12.一种用以校正用 于半导体制造之光罩图案之方法,其包含之步骤为 : 基于一个侧边之形状及/或该侧边与邻近侧边的相 对位置关系而分类该侧边,该侧边系组成光罩图案 之每个图案单元的基本要素;以及 对在该分类步骤所分类之该侧边选择性地实施图 案校正。13.如申请专利范围第12项之用以校正用 于半导体积体电路制造之光罩图案之方法,其中, 该分类步骤系一种用于分类该侧边为接受校正单 元及不接受校正单元的步骤;且 该校正步骤系一种用于对在该分类步骤分类为接 受校正侧边的侧边选择性地实施图案校正之步骤 。14.如申请专利范围第13项之用以校正用于半导 体积体电路制造之光罩图案之方法,其中,该分类 步骤系一种基于上述侧边之长度及该侧边两端点 处的单元顶点之角度而分类侧边为该接受校正侧 边及该不接受校正侧边之步骤。15.如申请专利范 围第12项之用以校正用于半导体积体电路制造之 光罩图案之方法,其中,该分类步骤系一种用于将 侧边长度小于预定値且在该侧边两端点处的单元 顶端之角度为90或270度的该侧边分类为该接受校 正侧边之步骤。16.如申请专利范围第13项之用以 校正用于半导体积体电路制造之光罩图案之方法, 其中,该分类步骤系一种基于邻近侧边之间的距离 及相互邻近侧边实际相对之长度而将侧边分类为 该接受校正侧边及该不接受校正侧边之步骤。17. 如申请专利范围第16项之用以校正用于半导体积 体电路制造之光罩图案之方法,其中,该分类步骤 系一种将该距离小于预定値及该相对长度大于另 一个预定値得侧边分类为该接受校正侧边之步骤 。18.如申请专利范围第13项之用以校正用于半导 体积体电路制造之光罩图案之方法,其中, 该分类步骤系一种用于将已分类为该接受校正单 元之图案单元更进一步分类为适合复数个图案校 正形式的群组;且 该校正步骤系一种对以该分类步骤分类为该不同 图案校正形式之该群组的该接受校正单元实施最 佳图案校正的步骤。19.如申请专利范围第16项之 用以校正用于半导体积体电路制造之光罩图案之 方法,其中,该分类步骤系一种基于该接受校正侧 边之长度而将该接受校正侧边分类为该群组的步 骤。20.如申请专利范围第16项之用以校正用于半 导体积体电路制造之光罩图案之方法,其中,该分 类步骤系一种基于邻近侧边之间的距离及邻近侧 边之间实际的相对长度而将该接受校正单元分类 为该群组的步骤。21.如申请专利范围第12项之用 以校正用于半导体积体电路制造之光罩图案之方 法,其中,该图案校正系光邻近效应校正。22.如申 请专利范围第18项之用以校正用于半导体积体电 路制造之光罩图案之方法,其中,该复数个的图案 校正方法系一种运用模拟的光邻近效应校正方法 以及一种运用规则的光邻近效应校正方法。图式 简单说明: 图1系显示如本发明之第一个实施例的用于半导体 IC制造之光罩图案之校正方法的流程图; 图2系显示一个欲由本发明之第一个实施例校正之 半导体IC光罩图案的范例; 图3系显示当图2所示之光罩图案根据图1所示之流 程图校正后的光罩图案; 图4系显示图1所示流程图之分类图案单元步骤的 具体操作的流程图; 图5系说明如图4所示流程图之操作的图形; 图6系显示图1所示流程图之决定是否实施校正之 步骤的具体操作的流程图; 图7系显示如本发明之第二个实施例的用于校正半 导体IC光罩图案的方法; 图8系显示一个欲由本发明之第二个实施例校正之 光罩图案的范例; 图9系显示如图7所示之流程图对图8所示之光罩图 案实施OPC程序后所获得之光罩图案。 |
