发明名称 | 灭弧罩瓷低温一次烧成工艺 | ||
摘要 | 灭弧罩瓷的低温一次烧成工艺可用于制造工业用电器陶瓷。与传统的二次烧成法相比,本发明的瓷料中加入了摊平温度低于1140℃的B—Si玻璃,在吸附剂中加入了锯末。其结果,可在1140℃下一次烧成,使烧成温度降低一百多度。在正常操作下产品合格率不低于二次烧成的合格率。材料的各项性能也完全达到我国部颁标准。 | ||
申请公布号 | CN85105075A | 申请公布日期 | 1985.12.20 |
申请号 | CN85105075 | 申请日期 | 1985.07.04 |
申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 曾美云;艾红 |
分类号 | C04B35/10;C04B35/78 | 主分类号 | C04B35/10 |
代理机构 | 北京工业大学专利代理事务所 | 代理人 | 楼艮基 |
主权项 | 灭弧罩瓷的低温一次烧成工艺,其特征在于,在瓷料中加入B-Si玻璃,在吸附剂Al↓[2]O↓[3]粉中加入锯末。 | ||
地址 | 北京市东郊九龙山 |