发明名称 灭弧罩瓷低温一次烧成工艺
摘要 灭弧罩瓷的低温一次烧成工艺可用于制造工业用电器陶瓷。与传统的二次烧成法相比,本发明的瓷料中加入了摊平温度低于1140℃的B—Si玻璃,在吸附剂中加入了锯末。其结果,可在1140℃下一次烧成,使烧成温度降低一百多度。在正常操作下产品合格率不低于二次烧成的合格率。材料的各项性能也完全达到我国部颁标准。
申请公布号 CN85105075A 申请公布日期 1985.12.20
申请号 CN85105075 申请日期 1985.07.04
申请人 北京工业大学 发明人 曾美云;艾红
分类号 C04B35/10;C04B35/78 主分类号 C04B35/10
代理机构 北京工业大学专利代理事务所 代理人 楼艮基
主权项 灭弧罩瓷的低温一次烧成工艺,其特征在于,在瓷料中加入B-Si玻璃,在吸附剂Al↓[2]O↓[3]粉中加入锯末。
地址 北京市东郊九龙山