Method of manufacturing aluminium contacts through a thick insulating layer in a circuit.

摘要

L'invention concerne les circuits intégrés. Pour réaliser des interconnexions en aluminium (14) sans risque de cassure au niveau des ouvertures de contact dans la couche isolante (12) séparant la couche d'interconnexion (14) du substrat (10), on propose de combler d'abord ces ouvertures avec du silicium polycristallin (18) ou un métal à fort pouvoir couvrant, déposé par décomposition chimique en phase vapeur. Après quoi, on dépose l'aluminium (14) par évaporation.