| 主权项 |
1.一种CMP制程,其包括使用包含氧化铝粉末之研磨剂磨光含有金属与非导电物质之基板,其中粉末之氧化铝粒子具有氧化矽涂膜,且其中粉末具有BET表面积为至少50 m2/mg,氧化铝含量为至少90重量%及氧化铝含量为至少90重量%,且其中氧化铝粒子之至少90%具有最终粒子宽度为不大于50毫微米,低于10%具有最终粒子大小为大于100 nm。2.根据申请专利范围第1项之CMP制程,其中氧化铝粉末之氧化铝含量为至少95%。3.根据申请专利范围第1项之CMP制程,其中氧化铝研磨剂之氧化矽含量为1至8重量%。4.根据申请专利范围第1项之CMP制程,其中氧化铝研磨剂系以包含2至7重量%氧化铝之浆料之形式呈现至工作件。5.根据申请专利范围第1项之CMP制程,其中氧化铝研磨剂系以包含分散于固化树脂母体内之研磨剂之固定研磨剂之形式呈现至工作件。6.根据申请专利范围第5项之CMP制程,其中固定研磨剂具有包含若干成形结构之外形轮廓表面。7.一种包含氧化铝粉末之CMP浆料,其包含氧化铝粉末,其中粉末之氧化铝粒子具有氧化矽涂膜且其中粉末具有BET表面积为至少50 m2/gm,氧化铝含量为至少90重量%及氧化铝含量为至少90重量%且其中粒子之至少90%具有最终粒子宽度为20至50毫微米,低于10%具有最终粒子大小为大于100 nm。8.一种适用于CMP应用之工程化研磨剂,包含工作表面,其本身包含若干由固化氧化铝研磨剂粒子于可固化树脂内之分散液获得之成形结构,其中氧化铝研磨剂粒子具有氧化矽涂膜,BET表面积为至少50 m2/gm,氧化铝含量为至少90重量%及氧化铝含量为至少90重量%且其中粒子之至少90%具有最终粒子宽度为20至50毫微米,低于10%具有最终粒子大小为大于100 nm。图式简单说明:图1显示用于本发明CMP制程之毫微-氧化铝粉末。可看出其包含具有极少大于50 nm宽度之高度一致性20-50 nm粒子。有些显示松弛地凝聚,但各个粒子结构清晰可见。图2显示对可用于制造根据本发明之CMP产物之毫微-氧化铝之X-射线衍射痕迹。 |
