| 主权项 |
1.一种抗蚀图案形成方法,其系藉由液浸曝光而形 成抗蚀图案者,且 于被处理基板上形成光阻膜,且上述光阻膜与浸液 溶液之接触角为第1角度; 于上述光阻膜上形成第1保护膜,且上述第1保护膜 与上述浸液溶液之接触角为大于上述第1角度之第 2角度; 于上述第1保护膜上形成第2保护膜,且上述第2保护 膜与上述浸液溶液之接触角为小于上述第2角度之 第3角度; 利用液浸曝光而于上述光阻膜上形成潜像。 2.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中上述第3角 度小于上述第1角度。 3.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中上述第1保 护膜为包含有包括碳氟化合物系树脂之高分子材 料之有机膜。 4.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中上述第2保 护膜系将上述第1保护膜表面改性而形成。 5.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中使上述第1 保护膜表面暴露于有机矽氮烷化合物或者氟化合 物之液体或者气氛中,形成具有上述第2角度之接 触角之层。 6.如请求项5之抗蚀图案形成方法,其中上述有机矽 氮烷化合物为六甲基二矽氮烷或者三甲基二矽氮 烷。 7.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中上述第2保 护膜对于上述浸液溶液为不溶。 8.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中上述第1保 护膜之边缘切削部覆盖上述被处理基板之外周部 分。 9.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中上述第2保 护膜之边缘切削部位于较上述第1保护膜之边缘切 削部更内侧。 10.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中使上述被 处理基板之晶圆倾斜部对于上述浸液溶液为高接 触角。 11.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中于上述液 浸曝光之后,进行上述光阻膜、上述第1保护膜以 及上述第2保护膜中之超纯水之除去。 12.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中于上述液 浸曝光之后进行上述被处理基板之加热。 13.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中上述第2保 护膜系实施使上述第1保护膜表面与上述浸液溶液 之接触角变小之处理而形成之膜。 14.如请求项13之抗蚀图案形成方法,其中使上述接 触角变小之处理系使上述第1保护膜暴露于含有臭 氧之液体或者气体而进行。 15.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中上述第2角 度为90以上,而上述第3角度为小于90。 16.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中上述浸液 溶液含有硷离子。 17.如请求项1之抗蚀图案形成方法,其中上述浸液 溶液含有氧离子。 18.一种半导体装置之制造方法,其使用具有抗蚀图 案之半导体基板制造半导体装置,该抗蚀图案系藉 由以下处理而形成: 于被处理基板上形成光阻膜,且上述光阻膜与浸液 溶液之接触角为第1角度; 于上述光阻膜上形成第1保护膜,且上述第1保护膜 与上述浸液溶液之接触角为大于上述第1角度之第 2角度; 于上述第1保护膜上形成第2保护膜,且上述第2保护 膜与上述浸液溶液之接触角为小于上述第2角度之 第3角度; 利用液浸曝光而于上述光阻膜上形成潜像。 图式简单说明: 图1系表示本实施形态之曝光装置的概略结构之图 。 图2系表示本实施形态之半导体装置的制造制程之 流程图。 图3系表示本实施形态之半导体装置的制造制程之 流程图。 图4A以及图4B系表示进行本实施形态之清洗液的除 去处理之状态之图。 图5A、图5B、图5C系表示本实施形态之半导体装置 之一部分制造制程之剖面图。 图6A以及图6B系用以对于本实施形态之膜与超纯水 (液体)间之接触角加以说明之图。 图7系表示形成有本实施形态之第1保护膜与第2保 护膜之半导体基板的剖面图。 图8系表示对本实施形态之各曝光区域依次进行扫 描曝光时的曝光顺序之一示例之半导体基板之平 面图。 图9系表示本实施形态之扫描曝光后残留于基板上 之液滴之平面图。 图10A以及图10B系表示先前例中光阻膜上之保护膜 之图。 图11A以及图11B系表示先前例中光阻膜上之保护膜 之图。 图12A以及图12B系表示本实施形态中光阻膜上之保 护膜之图。 |
