发明名称 半导体装置
摘要 本发明涉及使用于有必要高输出化的开关电源中的半导体装置,目的是防止线圈和变压器发生鸣叫,实现高效率电源。通过在作为反馈信号输入端子的FB端子的周边电路上连接P型号OOSFET构成的电流镜电路(9)、过电流检测电平调整电路(10)、过电流检测电路(12)、间歇振荡控制电路(13),在从重负荷状态到轻负荷状态中采用改变IDRAIN峰值的PWM控制,在从轻负荷状态到重负荷状态中采用间歇振荡控制,抑制线圈和变压器的鸣叫,并实现高效率化。
申请公布号 CN100338861C 申请公布日期 2007.09.19
申请号 CN200410055746.9 申请日期 2004.07.28
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 八谷佳明
分类号 H02M3/155(2006.01) 主分类号 H02M3/155(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 沈昭坤
主权项 1.一种半导体装置,该半导体装置具备:具有高电位侧端子、低电位侧端子、控制端子的开关元件(1);具有与所述高电位侧端子通过调节器(3)连接的基准电压端子(BP)和反馈信号输入端子(FP)、而且连接于所述开关元件的高电位侧端子、低电位侧端子及控制端子并控制所述开关元件(1)的反复导通截止的开关动作的控制电路(2);其特征在于,所述控制电路(2)具备:由第1P型开关元件(7)和第2P型开关元件(8)构成的第1电流镜电路(9),所述第1P型开关元件(7)的高电位侧端子连接于所述基准电压端子、控制端子连接于所述反馈信号输入端子及第2P型开关元件的控制端子、低电位侧端子连接于所述反馈信号输入端子及自身的控制端子,所述第2P型开关元件(8)的高电位侧端子连接于所述基准电压端子、控制端子连接于所述反馈信号输入端子及所述第1P型开关元件的控制端子、低电位侧端子连接于第1N型开关元件的高电位侧端子;由第1N型开关元件(30)和第2N型开关元件(31)构成的第2电流镜电路,所述第1N型开关元件的高电位侧端子连接于所述第2P型开关元件的低电位侧端子、控制端子连接于所述第2P型开关元件的低电位侧端子和第2N型开关元件的控制端子、低电位侧端子接地,所述第2N型开关元件的高电位侧端子通过电阻连接于所述基准电压端子、控制端子连接于所述第1N型开关元件的高电位侧端子和控制端子、低电位侧端子接地;含有所述第2电流镜电路及钳位电路(11)的过电流检测电平调整电路(10),其构成是:所述第2电流镜电路中的所述第2N形开关元件的高电位侧端子再与钳位电路(11)、间歇振荡控制电路(13)的输入端子、过电流检测电路(12)的第1比较器的检测端子连接;在所述开关元件(1)的高电位侧端子上连接所述第1比较器的检测端子的过电流检测电路(12);以及由第2比较器构成的间歇振荡控制电路(13),所述第2比较器具有连接所述第2N型开关元件的高电位侧端子的检测端子以及利用所述检测端子的信号,在间歇振荡检测上限电压与间歇振荡检测下限电压间切换基准电压的基准端子;所述间歇振荡控制电路,当所述检测端子的信号变得比所述间歇振荡检测下限电压还小时停止所述开关元件的开关动作,当所述检测端子的信号变得比所述间歇振荡检测上限电压还大时再开始进行所述开关元件的开关动作。
地址 日本国大阪府