METHOD FOR PRODUCING CZOCHRALSKI SILICON FREE OF AGGLOMERATED SELF-INTERSTITIAL DEFECTS,申请号KR20027003800-传众专利搜索

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发明名称	METHOD FOR PRODUCING CZOCHRALSKI SILICON FREE OF AGGLOMERATED SELF-INTERSTITIAL DEFECTS
摘要
申请公布号	KR100778194(B1)	申请公布日期	2007.11.27
申请号	KR20027003800	申请日期	2002.03.22
申请人		发明人
分类号	C30B33/02	主分类号	C30B33/02
代理机构		代理人
主权项
地址

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