发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE PAD AREA PROTECTION STRUCTURE.
摘要 Structure de dispositif à semi-conducteurs comprenant un motif de métallisation (16) possédant une zone de coussinet (18). La structure protège la zone de coussinet (18) de l'attaque par un environnement corrosif. La structure comprend un corps de semi-conducteur (10) possédant une première surface (12) recouverte au moins en partie par une première couche de matériau diélectrique (14). Un motif de métallisation (16) possédant une zone de coussinet (18) couvre une partie de la première couche (14) de matériau diélectrique (14). Une structure de coussinet d'accès (20 (22, 40, 44)) couvre la zone de coussinet (18) pour créer un coussinet d'accès (20) et pour protéger la zone de coussinet (18) de l'attaque par un environnement corrosif. La structure de coussinet d'accès (20 (22, 40, 44)) comprend un matériau conducteur (40, 44) insensible à l'attaque de l'environnement corrosif.
申请公布号 EP0163731(A1) 申请公布日期 1985.12.11
申请号 EP19850900357 申请日期 1984.12.03
申请人 HONEYWELL INC. 发明人 HOLMEN, JAMES, O.;WURM, MARK, A.
分类号 H01L23/48;H01L23/485;H01L23/532;(IPC1-7):H01L23/48;H01L29/46;H01L29/62 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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