| 发明名称 |
Process for producing a buried isolation layer in a semiconductor substrate by implantation. |
| 摘要 |
<p>Procédé de fabrication d'une couche isolante enterrée dans un substrat semi-conducteur, par implantation ionique. Ce procédé consiste à réaliser un masque (6, 8) sur les régions du substrat dans lesquelles seront réalisées les zones actives, à réaliser une implantation ionique (10) d'oxygène ou d'azote dans le substrat (2) à travers le masque (6, 8) servant à former par dispersion et diffusion latérales (F) dans le substrat (2) des ions implantés, une couche isolante (14) d'oxyde ou de nitrure continue et enterrée dans le substrat (2), et à réaliser éventuellement un recuit du substrat (2) implanté servant à renforcer la continuité de la couche isolante (14) par diffusion latérale des ions implantés.</p> |
| 申请公布号 |
EP0164281(A1) |
申请公布日期 |
1985.12.11 |
| 申请号 |
EP19850400773 |
申请日期 |
1985.04.18 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT DE CARACTERE SCIENTIFIQUE TECHNIQUE ET INDUSTRIEL |
发明人 |
BRUEL, MICHEL;DU PORT DE PONCHARRA, JEAN |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/265;H01L21/31;H01L21/76;H01L21/762;H01L27/12;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/76;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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