发明名称 一种便携式信息终端和一种摄象机
摘要 本发明提供了含有一个显示器件的便携式信息终端或摄象机,所述显示器件包括包括在同一基片上的象素矩阵电路、驱动电路和逻辑电路,其中象素矩阵电路、驱动电路和逻辑电路包括多个薄膜晶体管,每个薄膜晶体管皆具有结晶硅膜的有源层,和60-100mV/十位的亚阈值系数,及其中根据各电路所需的特性,包括在各电路中的多个薄膜晶体管的沟道形成区由生长距离彼此不同的各横向生长区制成。因此,形成于一个横向生长区中的TFT的特性能够尽可能的一致。
申请公布号 CN100470739C 申请公布日期 2009.03.18
申请号 CN200610100797.8 申请日期 1998.01.20
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平;大谷久
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 梁 永
主权项 1. 一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜;将用于促进硅膜结晶的催化元素选择性地添加到所述非晶硅膜中;通过热处理使所述非晶硅膜从催化元素添加区域的起点结晶,形成晶体硅膜制造的多个横向生长区;形成有源层,在每个有源层中至少沟道形成区域只由所述横向生长区形成;在每个有源层上形成氧化硅膜;和通过在含有卤素元素的气氛中进行热处理,除去每个有源层中的催化元素,和对所述有源层执行热氧化;其中添加催化元素的步骤通过离子注入的方法或等离子体掺杂的方法执行,在同样的衬底上至少一个部分中添加的催化元素的浓度与另一个被添加催化元素的区域中催化元素的浓度不同。
地址 日本神奈川县厚木市