| 发明名称 |
METHOD OF FABRICATING AlGaAs SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING HIGH AND LOW RESISTIVITY REGIONS. |
| 摘要 |
On utilise la propriété des matériaux dans le système GaAs/AlGaAs selon laquelle, soumis à un bombardement protonique à certaines doses, un matériau du type n devient très résistif mais un matériau de type p reste très conducteur pour fabriquer des circuits intégrés comportant des barres de bus ou des interconnexions de semi-conducteurs enterrées (14) entre les dispositifs (D1, D2). |
| 申请公布号 |
EP0162057(A1) |
申请公布日期 |
1985.11.27 |
| 申请号 |
EP19840903875 |
申请日期 |
1984.10.18 |
| 申请人 |
AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY |
发明人 |
FOCHT, MARLIN, WILBERT;KOSZI, LOUIS, ALEX;SCHWARTZ, BERTRAM |
| 分类号 |
H01L21/762;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/3205;H01L21/324;H01L21/74;H01L21/76;H01L21/8252;H01L23/52;H01L23/535;H01L27/15;(IPC1-7):H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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