| 摘要 |
光電変換素子（１０）は、結晶性半導体層である基板４０の裏面側に形成される真性非晶質半導体層であるｉ層（４３）と、ｉ層（４３）上に形成されるｐ型非晶質半導体層であるｐ層（４４）と、ｐ層（４３）上に形成される透明導電膜層であるＴＣＯ（４６）と、を含み、ｐ層（４３）の厚さ方向のボロン（Ｂ）濃度は、ＴＣＯ（４６）との界面の位置（Ｘ4）よりもｉ層（４３）側にＢ濃度がピークとなる位置（Ｘ2）を有する。Ｂ濃度は、ピークとなる位置（Ｘ2）からＴＣＯ（５６）との界面の位置（Ｘ4）に向かって、ステップ状、または漸減状、または階段状に減少してもよい。基板（４０）がｎ型である場合、受光面側に真性非晶質半導体層であるｉ層と、ｉ層上に形成されるｎ型非晶質半導体層であるｎ層と、ｎ層上に形成される透明導電膜層であるＴＣＯについては、ｎ層におけるＰ（リン）濃度のピーク位置を、ｉ層を挟んでｎ型の基板（４０）の側とすることがよい。 |
