| 摘要 |
オフ時の高バイアス下であっても、ゲート電極近傍の電界が緩和され、破壊されにくいスイッチング素子を提供する。スイッチング素子１は、キャリア走行層１３と、キャリア走行層１３の上面に形成され、バンドギャップがキャリア走行層１３より大きくキャリア走行層１３とヘテロ接合するキャリア供給層１４と、ソース電極１５とドレイン電極１６と、当該ソース電極１５とドレイン電極１６の間に配置されたゲート電極１７とを備え、キャリア走行層１３とドレイン電極１６の間に、不純物ドープ層２０を介在させてなる。不純物ドープ層２０は、ヘテロ接合により生じた二次元キャリアガス層１８を構成するキャリアと同導電型の不純物が高濃度にドープされた半導体層であり、スイッチング素子１がオフ状態時に、不純物ドープ層２０内に空乏層２３ｂが形成されることにより、ゲート電極１７近傍に生じる高電界を分散させる。 |
