| 摘要 |
<p>L'invention concerne un combineur compact de dispositifs semiconducteurs hyperfréquences, tels que les diodes à résistance négative (Gunn-Impat). Le combineur selon l'invention regroupe sur une embase (11): -au centre au moins une pastille semiconductrice (1) ou une pluralité de dispositifs semiconducteurs intégrés dans une seule pastille (9), -une première couronne de capacités (5) en éléments localisés, - une second couronne (7) en matériau diélectrique métallisé sur deux faces planes opposées (14, 15), formant à la fois une seconde capacité et une partie du boîtier d'encapsulation du combineur, - des rubans métalliques (4, 6) assurant les liaisons entre composants actifs (1 ou 9) et capacités (5, 7) et formant simultanément des selfs en éléments non localisés. Un couvercle métallique (16) soudé sur la couronne extérieure (7) assure l'étanchéïté du boîtier et amène la tension de polarisation. Application aux oscillateurs et amplificateurs hyperfréquences.</p> |
