LPE GROWTH ON GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATES CONTAINING PHOSPHORUS.

摘要

Une croissance épitaxiale en phase liquide (LPE) d'une couche de composé semi-conducteur de groupe III-V sur un substrat de composé semi-conducteur de groupe III-V contenant du phosphore est obtenue dans un creuset en graphite en préchauffant le substrat dans une atmosphère gazeuse non réductrice telle que de l'azote ou de l'hélium, et en mettant le substrat en contact avec un composé en fusion liquide, pouvant provoquer la croissance de la couche, dans une atmosphère gazeuse réductrice, telle que de l'hydrogène. Le préchauffage du substrat dans l'atmosphère gazeuse non réductrice empêche des pertes indésirables de phosphore du substrat, induites par la chaleur, et l'utilisation de l'atmosphère gazeuse réductrice pendant l'étape de croissance évite le problème posé par le collage des parties du dispositif de traitement.