| 发明名称 |
METHOD OF PRODUCING CMOS STRUCTURE HAVING SCHOTTKY BIPOLAR TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS60226163(A) |
申请公布日期 |
1985.11.11 |
| 申请号 |
JP19840281956 |
申请日期 |
1984.12.28 |
| 申请人 |
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
发明人 |
BURUUSU GUREI;KASHIBUISUBUANATA SAUNDAAANASAN;FURANKURIN DEII BUANJIISON |
| 分类号 |
H01L21/285;H01L21/331;H01L21/76;H01L21/762;H01L21/8222;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/082;H01L29/47;H01L29/73;H01L29/732;H01L29/872 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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