| 发明名称 |
INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0040263(B1) |
申请公布日期 |
1985.11.06 |
| 申请号 |
EP19800108109 |
申请日期 |
1980.12.22 |
| 申请人 |
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH;ITT INDUSTRIES INC. |
发明人 |
FRITZ, GUNTER, ADAM, DR. |
| 分类号 |
H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L29/36 |
主分类号 |
H01L29/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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